扩散氧化炉

江阴长电.jpg


●  用  途:

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用于半导体集成电路生产线,硅片的扩散、氧化工艺

 

●  特  点:

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工控机全自动控制
所有气路件全部进口,VCR连接
配备自动悬臂推拉舟,软着陆推拉舟
排气量自动控制,确保工作腔体压力稳定 

Profile TC,实现串级控制,无需拉温区

无需补偿导线,精确控温
配备磷源控制器、氢氧合成点火系统、纯水滴入蒸发系统等
环境温度监控,以及表面温度监控等
程序包含MES接口、组网、远程监控等功能

关键部件全部进口


●  技术指标:

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适用硅片尺寸:                                    2-8英寸

炉管配置:                                           1-4管

适合工艺:                                           磷扩、硼扩、氢氧合成氧化、纯水氧化、退火、合金等

送取料:                                               手动、悬臂推拉舟、软着陆推拉舟(任意可选)

工作温度范围:                                    300~1300℃;

恒温区长度:                                        600-1000mm

恒温区精度:                                        ± 0.5℃ 
气体流量控制精度:                                ± 1%F.S;
气路系统气密性:                                 1×10-7pa.m3/s;
控温方式:                                            串级控制