半导体装备

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氧化扩散炉

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设备型号:

LISA-D系列

设备用途:

半导体硅片磷硼等掺杂扩散、氧化、退火及掺杂-退火等一体新型工艺

产品特点:

工艺舟软着陆

精确温度控制系统

闭管扩散。 

全数字化控制系统。

数字式MFC精确控制气体流量

隔热和密封的炉门系统

防污染的尾部废气处理系统。 

紧凑的造型设计。

自动装卸舟(选配)

自动压力平衡。

喷淋扩散工艺。

单晶、多晶兼备。

中央计算机集中控制。

设备性能、工艺性能可与进口设备媲美。

具备侧出舟功能(可选)。

技 术 指 标

处理硅片能力

2-8英寸

工艺

磷扩、硼扩、氧化、退火

温度控制方式

串级控制;炉体3段(或5段)控温

恒温区长度

600mm、800mm、1200mm

恒温区温度精度

≤±0.5℃

单点稳定性、重复性

≤±0.5℃

净化工作台  

百级净化等级

送取料

悬臂推拉舟、软着陆推拉舟


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