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单晶氧化退火炉
主要用途:单晶硅制造过程中氧化退火,改善晶体质量、消除缺陷、优化电学性能,确保单晶硅高纯度及均匀性
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应用场景:
直拉单晶(CZ法)制造 | 晶体生长后热处理、氧沉淀控制、掺杂均匀性优化 |
区熔单晶(FZ法)制造 | 缺陷修复、氧含量调节、表面钝化 |
大尺寸单晶硅片加工 | 晶圆预处理、表面氧化层生长 |
高质量单晶研发 | 新型单晶材料的氧化退火工艺研究;大尺寸单晶硅的性能优化与缺陷控制 |
样片检测 | 硅单晶片缺陷检测 |