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快速退火炉

主要用途:快速高温加热,用于激活掺杂、修复晶格损伤、形成金属硅化物及优化薄膜特性

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应用场景:

集成电路制造

离子注入后退火金属硅化物形成超浅结退火栅极氧化层优化

功率半导体制造

SiC和GaN器件高温退火掺杂激活与缺陷修复

先进封装

晶圆级封装的快速热处理TSV(硅通孔)工艺中的退火

新型材料研发

二维材料(如石墨烯碳纳米管)的快速退火第三代半导体(如SiC、GaN)的热处理

MEMS制造

MEMS器件的快速退火工艺传感器的掺杂激活与性能优化

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